Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Texas Instrumentsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
2,9 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
12 V
Paket Tipi
PICOSTAR
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
65 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı
500 mW
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-10 V, +10 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
0.64mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
0 V'de 2 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Genişlik
1.04mm
Transistör Malzemesi
Si
Seri
FemtoFET
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1V
Yükseklik
0.35mm
Ürün Ayrıntıları
N-Channel FemtoFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Texas Instrumentsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
2,9 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
12 V
Paket Tipi
PICOSTAR
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
65 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı
500 mW
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-10 V, +10 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
0.64mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
0 V'de 2 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Genişlik
1.04mm
Transistör Malzemesi
Si
Seri
FemtoFET
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1V
Yükseklik
0.35mm
Ürün Ayrıntıları