Toshiba TPH8R903NL,LQ(S N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 38 A, 30 V, 8-Pinli SOP

Name: Toshiba TPH8R903NL,LQ(S N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 38 A, 30 V, 8-Pinli SOP
Brand: Toshiba
SKU: 1332810

RS Stok Numarası: 133-2810Marka: ToshibaÜretici Parça Numarası: TPH8R903NL,LQ(S

MOSFET'ler kategorisindeki tüm ürünleri gör

Teknik Belgeler

Özellikler

Marka

Toshiba

İletken Tipi

Maksimum Sürekli Tahliye Akımı

38 A

Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi

30 V

Seri

U-MOSVIII-H

Paket Tipi

SOP

Montaj Tipi

Yüzeye Monte

Pim Sayısı

Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci

12.7 mΩ

Kanal Modu

Artırma

Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi

2.3V

Minimum Kapı Eşiği Gerilimi

1.3V

Maksimum Güç Kaybı

24 W

Transistör Yapılandırması

Tek

Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi

-20 V, +20 V

Genişlik

5mm

Yonga Başına Eleman Sayısı

Maksimum Çalışma Sıcaklığı

+150°C

Transistör Malzemesi

Uzunluk

5mm

Vgs'de Tipik Kapak Şarjı

10 V'de 9,8 nC

Yükseklik

0.95mm

İleri Diyot Gerilimi

1.2V

Menşe

Japan

Ürün Ayrıntıları

MOSFET Transistors, Toshiba

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

Teklif İsteyiniz

Toshiba TPH8R903NL,LQ(S N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 38 A, 30 V, 8-Pinli SOP

Teklif İsteyiniz

Toshiba TPH8R903NL,LQ(S N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 38 A, 30 V, 8-Pinli SOP

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
View and contribute website content and forums
Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products

Click here to find out more

Teknik Belgeler

Özellikler

Marka

Toshiba

İletken Tipi

Maksimum Sürekli Tahliye Akımı

38 A

Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi

30 V

Seri

U-MOSVIII-H

Paket Tipi

SOP

Montaj Tipi

Yüzeye Monte

Pim Sayısı

Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci

12.7 mΩ

Kanal Modu

Artırma

Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi

2.3V

Minimum Kapı Eşiği Gerilimi

1.3V

Maksimum Güç Kaybı

24 W

Transistör Yapılandırması

Tek

Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi

-20 V, +20 V

Genişlik

5mm

Yonga Başına Eleman Sayısı

Maksimum Çalışma Sıcaklığı

+150°C

Transistör Malzemesi

Uzunluk

5mm

Vgs'de Tipik Kapak Şarjı

10 V'de 9,8 nC

Yükseklik

0.95mm

İleri Diyot Gerilimi

1.2V

Menşe

Japan

Ürün Ayrıntıları