Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Vishayİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
25 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
40 V
Paket Tipi
PowerPAK ChipFET
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
9.47 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.5V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
31 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
+20 V
Genişlik
1.9mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
3mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 26,2 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
0.8mm
Seri
TrenchFET
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.2V
Ürün Ayrıntıları
N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Vishayİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
25 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
40 V
Paket Tipi
PowerPAK ChipFET
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
9.47 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.5V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
31 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
+20 V
Genişlik
1.9mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
3mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 26,2 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
0.8mm
Seri
TrenchFET
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.2V
Ürün Ayrıntıları