Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
DiodesZetexİletken Tipi
N, P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
2,1 A, 5,2 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
20 V
Paket Tipi
TSOT-26
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
6
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
56 mΩ, 168 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
1,1 W
Transistör Yapılandırması
Yalıtılmış
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-12 V, +12 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Genişlik
1.65mm
Uzunluk
2.95mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 12 nC, 10 V'de 14 nC
Transistör Malzemesi
Si
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
0.9mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
13.860,00 TL
4,62 TL Each (On a Reel of 3000) (KDV Hariç)
16.632,00 TL
5,544 TL Each (On a Reel of 3000) KDV Dahil
3000
13.860,00 TL
4,62 TL Each (On a Reel of 3000) (KDV Hariç)
16.632,00 TL
5,544 TL Each (On a Reel of 3000) KDV Dahil
3000
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
DiodesZetexİletken Tipi
N, P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
2,1 A, 5,2 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
20 V
Paket Tipi
TSOT-26
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
6
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
56 mΩ, 168 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
1,1 W
Transistör Yapılandırması
Yalıtılmış
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-12 V, +12 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Genişlik
1.65mm
Uzunluk
2.95mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 12 nC, 10 V'de 14 nC
Transistör Malzemesi
Si
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
0.9mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları