Diodes Inc DMG4511SK4-13 İkili N/P-Kanallı Si MOSFET Transistör, 9,3 A, 9,6 A, 35 V, 3-Pinli DPAK (TO-252)
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
DiodesZetexİletken Tipi
N, P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
9,3 A, 9,6 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
35 V
Paket Tipi
DPAK (TO-252)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
65 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
3V
Maksimum Güç Kaybı
8,9 W
Transistör Yapılandırması
Yalıtılmış
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Genişlik
6.2mm
Uzunluk
6.7mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 18,7 nC, 10 V'de 19,2 nC
Transistör Malzemesi
Si
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.2V
Yükseklik
2.39mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
40.560,00 TL
16,224 TL Each (On a Reel of 2500) (KDV Hariç)
48.672,00 TL
19,469 TL Each (On a Reel of 2500) KDV Dahil
2500
40.560,00 TL
16,224 TL Each (On a Reel of 2500) (KDV Hariç)
48.672,00 TL
19,469 TL Each (On a Reel of 2500) KDV Dahil
2500
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
DiodesZetexİletken Tipi
N, P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
9,3 A, 9,6 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
35 V
Paket Tipi
DPAK (TO-252)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
65 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
3V
Maksimum Güç Kaybı
8,9 W
Transistör Yapılandırması
Yalıtılmış
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Genişlik
6.2mm
Uzunluk
6.7mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 18,7 nC, 10 V'de 19,2 nC
Transistör Malzemesi
Si
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.2V
Yükseklik
2.39mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products