Infineon OptiMOS™ N-Channel MOSFET, 57 A, 30 V, 8-Pin TDSON BSC052N03LSATMA1

Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
57 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Series
OptiMOS
Paket Tipi
TDSON
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
7.2 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.2V
Maksimum Güç Kaybı
28 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Genişlik
5.35mm
Uzunluk
6.1mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 12 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
1.1mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
Infineon OptiMOS™ Power MOSFET Family
OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Teklif İsteyiniz
Each (In a Pack of 25) (KDV Hariç)
Standart
25
Teklif İsteyiniz
Each (In a Pack of 25) (KDV Hariç)
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
25
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
57 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Series
OptiMOS
Paket Tipi
TDSON
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
7.2 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.2V
Maksimum Güç Kaybı
28 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Genişlik
5.35mm
Uzunluk
6.1mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 12 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
1.1mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
Infineon OptiMOS™ Power MOSFET Family
OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.