Infineon IRF7832TRPBF N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 20 A, 30 V, 8-Pinli SOIC
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
20 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Series
HEXFET
Paket Tipi
SOIC
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
4.8 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.32V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.39V
Maksimum Güç Kaybı
2,5 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
5mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
4,5 V'de 34 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+155°C
Genişlik
4mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
1.5mm
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
325,96 TL
32,596 TL Each (In a Pack of 10) (KDV Hariç)
391,15 TL
39,115 TL Each (In a Pack of 10) KDV Dahil
Standart
10
325,96 TL
32,596 TL Each (In a Pack of 10) (KDV Hariç)
391,15 TL
39,115 TL Each (In a Pack of 10) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
10
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
20 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Series
HEXFET
Paket Tipi
SOIC
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
4.8 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.32V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.39V
Maksimum Güç Kaybı
2,5 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
5mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
4,5 V'de 34 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+155°C
Genişlik
4mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
1.5mm
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products