Infineon IRF9952TRPBF İkili N/P-Kanallı Si MOSFET Transistör, 2,3 A, 3,5 A, 30 V, 8-Pinli SOIC
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N, P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
2,3 A, 3,5 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Seri
HEXFET
Paket Tipi
SOIC
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
150 mΩ, 400 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
2 W
Transistör Yapılandırması
Yalıtılmış
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
4mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Uzunluk
5mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
6.1 nC @ 10 V, 6.9 nC @ 10 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
1.5mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
Dual N/P-Channel Power MOSFET, Infineon
Infineon’s dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium. A variety of package options is available and designers can choose the Dual N/P-channel configuration.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
51.168,00 TL
12,792 TL Each (On a Reel of 4000) (KDV Hariç)
61.401,60 TL
15,35 TL Each (On a Reel of 4000) KDV Dahil
4000
51.168,00 TL
12,792 TL Each (On a Reel of 4000) (KDV Hariç)
61.401,60 TL
15,35 TL Each (On a Reel of 4000) KDV Dahil
4000
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N, P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
2,3 A, 3,5 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Seri
HEXFET
Paket Tipi
SOIC
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
150 mΩ, 400 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
2 W
Transistör Yapılandırması
Yalıtılmış
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
4mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Uzunluk
5mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
6.1 nC @ 10 V, 6.9 nC @ 10 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
1.5mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
Dual N/P-Channel Power MOSFET, Infineon
Infineon’s dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium. A variety of package options is available and designers can choose the Dual N/P-channel configuration.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products