Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
80 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Series
SIPMOS
Paket Tipi
TO-220
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
23 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.1V
Maksimum Güç Kaybı
340 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
4.57mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
10.36mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 115 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Yükseklik
15.95mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.6V
Menşe
Malaysia
Ürün Ayrıntıları
Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs
The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
6.751,65 TL
135,033 TL Each (In a Tube of 50) (KDV Hariç)
8.101,98 TL
162,04 TL Each (In a Tube of 50) KDV Dahil
50
6.751,65 TL
135,033 TL Each (In a Tube of 50) (KDV Hariç)
8.101,98 TL
162,04 TL Each (In a Tube of 50) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
50
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Miktar | Birim Fiyat | Per Tüp |
---|---|---|
50 - 50 | 135,033 TL | 6.751,65 TL |
100 - 200 | 110,751 TL | 5.537,55 TL |
250+ | 103,968 TL | 5.198,40 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
80 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Series
SIPMOS
Paket Tipi
TO-220
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
23 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.1V
Maksimum Güç Kaybı
340 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
4.57mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
10.36mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 115 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Yükseklik
15.95mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.6V
Menşe
Malaysia
Ürün Ayrıntıları
Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs
The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.