Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
46 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
650 V
Seri
HiperFET, X2-Class
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
69 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
5.5V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.7V
Maksimum Güç Kaybı
660 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-30 V, +30 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Genişlik
21.34mm
Uzunluk
16.13mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 98 nC
Transistör Malzemesi
Si
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.4V
Yükseklik
5.21mm
Menşe
United States
Ürün Ayrıntıları
N-channel Power MOSFET, IXYS HiPerFET™ X2 Series
The IXYS X2 class HiPerFET Power MOSFET series offers significantly reduced on resistance and gate charge when compared to earlier generations of power MOSFETs resulting in reduced losses and higher operational efficiency. These rugged devices incorporate an enhanced high-speed intrinsic diode and are suitable for both hard switching and resonant mode applications. X2 class Power MOSFETs are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 120A at 650V. Typical applications include DC-DC converters, AC and DC motor drives, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, Solar inverters, temperature and lighting control.
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
9.455,16 TL
315,172 TL Each (In a Tube of 30) (KDV Hariç)
11.346,19 TL
378,206 TL Each (In a Tube of 30) KDV Dahil
30
9.455,16 TL
315,172 TL Each (In a Tube of 30) (KDV Hariç)
11.346,19 TL
378,206 TL Each (In a Tube of 30) KDV Dahil
30
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
46 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
650 V
Seri
HiperFET, X2-Class
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
69 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
5.5V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.7V
Maksimum Güç Kaybı
660 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-30 V, +30 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Genişlik
21.34mm
Uzunluk
16.13mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 98 nC
Transistör Malzemesi
Si
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.4V
Yükseklik
5.21mm
Menşe
United States
Ürün Ayrıntıları
N-channel Power MOSFET, IXYS HiPerFET™ X2 Series
The IXYS X2 class HiPerFET Power MOSFET series offers significantly reduced on resistance and gate charge when compared to earlier generations of power MOSFETs resulting in reduced losses and higher operational efficiency. These rugged devices incorporate an enhanced high-speed intrinsic diode and are suitable for both hard switching and resonant mode applications. X2 class Power MOSFETs are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 120A at 650V. Typical applications include DC-DC converters, AC and DC motor drives, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, Solar inverters, temperature and lighting control.
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS