Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
48 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
600 V
Series
HiperFET, Q-Class
Paket Tipi
TO-264
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
140 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
6.5V
Maksimum Güç Kaybı
1 kW
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-30 V, +30 V
Genişlik
5.13mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
19.96mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 140 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
26.16mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Menşe
United States
Ürün Ayrıntıları
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 Series
The IXYS Q3 class of HiperFET™ Power MOSFETs are suitable for both hard switching and resonant mode applications, and offer low gate charge with exceptional ruggedness. The devices incorporate a fast intrinsic diode and are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 1100V and 70A. Typical applications include DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, temperature and lighting control.
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
18.465,20 TL
738,608 TL Each (In a Tube of 25) (KDV Hariç)
22.158,24 TL
886,33 TL Each (In a Tube of 25) KDV Dahil
25
18.465,20 TL
738,608 TL Each (In a Tube of 25) (KDV Hariç)
22.158,24 TL
886,33 TL Each (In a Tube of 25) KDV Dahil
25
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
48 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
600 V
Series
HiperFET, Q-Class
Paket Tipi
TO-264
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
140 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
6.5V
Maksimum Güç Kaybı
1 kW
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-30 V, +30 V
Genişlik
5.13mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
19.96mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 140 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
26.16mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Menşe
United States
Ürün Ayrıntıları
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 Series
The IXYS Q3 class of HiperFET™ Power MOSFETs are suitable for both hard switching and resonant mode applications, and offer low gate charge with exceptional ruggedness. The devices incorporate a fast intrinsic diode and are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 1100V and 70A. Typical applications include DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, temperature and lighting control.
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS