IXYS IXFP10N80P N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 10 A, 800 V, 3-Pinli TO-220

RS Stok Numarası: 194-057Marka: IXYSÜretici Parça Numarası: IXFP10N80P
brand-logo

Teknik Belgeler

Özellikler

Marka

IXYS

İletken Tipi

N

Maksimum Sürekli Tahliye Akımı

10 A

Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi

800 V

Series

HiperFET, Polar

Paket Tipi

TO-220

Montaj Tipi

Açık Delik

Pim Sayısı

3

Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci

1.1 Ω

Kanal Modu

Artırma

Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi

5.5V

Maksimum Güç Kaybı

300 W

Transistör Yapılandırması

Tek

Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi

-30 V, +30 V

Vgs'de Tipik Kapak Şarjı

10 V'de 40 nC

Genişlik

4.83mm

Transistör Malzemesi

Si

Yonga Başına Eleman Sayısı

1

Uzunluk

10.66mm

Maksimum Çalışma Sıcaklığı

+150°C

Minimum Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Yükseklik

9.15mm

Ürün Ayrıntıları

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

255,42 TL

255,42 TL Each (KDV Hariç)

306,50 TL

306,50 TL Each KDV Dahil

IXYS IXFP10N80P N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 10 A, 800 V, 3-Pinli TO-220
Paketlenme türü seçiniz
sticker-359

255,42 TL

255,42 TL Each (KDV Hariç)

306,50 TL

306,50 TL Each KDV Dahil

IXYS IXFP10N80P N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 10 A, 800 V, 3-Pinli TO-220
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Paketlenme türü seçiniz
sticker-359

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz

MiktarBirim Fiyat
1 - 4255,42 TL
5 - 19238,14 TL
20 - 49223,02 TL
50 - 99192,78 TL
100+184,68 TL

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Teknik Belgeler

Özellikler

Marka

IXYS

İletken Tipi

N

Maksimum Sürekli Tahliye Akımı

10 A

Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi

800 V

Series

HiperFET, Polar

Paket Tipi

TO-220

Montaj Tipi

Açık Delik

Pim Sayısı

3

Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci

1.1 Ω

Kanal Modu

Artırma

Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi

5.5V

Maksimum Güç Kaybı

300 W

Transistör Yapılandırması

Tek

Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi

-30 V, +30 V

Vgs'de Tipik Kapak Şarjı

10 V'de 40 nC

Genişlik

4.83mm

Transistör Malzemesi

Si

Yonga Başına Eleman Sayısı

1

Uzunluk

10.66mm

Maksimum Çalışma Sıcaklığı

+150°C

Minimum Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Yükseklik

9.15mm

Ürün Ayrıntıları

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more