Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
550 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
55 V
Series
GigaMOS, HiperFET
Paket Tipi
SMPD
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
24
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
1.3 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
3.8V
Maksimum Güç Kaybı
830 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Genişlik
23.25mm
Uzunluk
25.25mm
Transistör Malzemesi
Si
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 595 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.2V
Yükseklik
5.7mm
Menşe
Germany
Ürün Ayrıntıları
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
38.771,40 TL
1.938,57 TL Each (In a Tube of 20) (KDV Hariç)
46.525,68 TL
2.326,284 TL Each (In a Tube of 20) KDV Dahil
20
38.771,40 TL
1.938,57 TL Each (In a Tube of 20) (KDV Hariç)
46.525,68 TL
2.326,284 TL Each (In a Tube of 20) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
20
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
550 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
55 V
Series
GigaMOS, HiperFET
Paket Tipi
SMPD
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
24
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
1.3 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
3.8V
Maksimum Güç Kaybı
830 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Genişlik
23.25mm
Uzunluk
25.25mm
Transistör Malzemesi
Si
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 595 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.2V
Yükseklik
5.7mm
Menşe
Germany
Ürün Ayrıntıları
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS