IXYS MMIX1T550N055T2 N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 550 A, 55 V, 24-Pinli SMPD

RS Stok Numarası: 168-4794Marka: IXYSÜretici Parça Numarası: MMIX1T550N055T2
brand-logo

Teknik Belgeler

Özellikler

Marka

IXYS

İletken Tipi

N

Maksimum Sürekli Tahliye Akımı

550 A

Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi

55 V

Series

GigaMOS, HiperFET

Paket Tipi

SMPD

Montaj Tipi

Yüzeye Monte

Pim Sayısı

24

Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci

1.3 mΩ

Kanal Modu

Artırma

Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi

3.8V

Maksimum Güç Kaybı

830 W

Transistör Yapılandırması

Tek

Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi

-20 V, +20 V

Yonga Başına Eleman Sayısı

1

Genişlik

23.25mm

Uzunluk

25.25mm

Transistör Malzemesi

Si

Maksimum Çalışma Sıcaklığı

+175°C

Vgs'de Tipik Kapak Şarjı

10 V'de 595 nC

Minimum Çalışma Sıcaklığı

-55°C

İleri Diyot Gerilimi

1.2V

Yükseklik

5.7mm

Menşe

Germany

Ürün Ayrıntıları

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

38.771,40 TL

1.938,57 TL Each (In a Tube of 20) (KDV Hariç)

46.525,68 TL

2.326,284 TL Each (In a Tube of 20) KDV Dahil

IXYS MMIX1T550N055T2 N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 550 A, 55 V, 24-Pinli SMPD

38.771,40 TL

1.938,57 TL Each (In a Tube of 20) (KDV Hariç)

46.525,68 TL

2.326,284 TL Each (In a Tube of 20) KDV Dahil

IXYS MMIX1T550N055T2 N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 550 A, 55 V, 24-Pinli SMPD

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Teknik Belgeler

Özellikler

Marka

IXYS

İletken Tipi

N

Maksimum Sürekli Tahliye Akımı

550 A

Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi

55 V

Series

GigaMOS, HiperFET

Paket Tipi

SMPD

Montaj Tipi

Yüzeye Monte

Pim Sayısı

24

Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci

1.3 mΩ

Kanal Modu

Artırma

Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi

3.8V

Maksimum Güç Kaybı

830 W

Transistör Yapılandırması

Tek

Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi

-20 V, +20 V

Yonga Başına Eleman Sayısı

1

Genişlik

23.25mm

Uzunluk

25.25mm

Transistör Malzemesi

Si

Maksimum Çalışma Sıcaklığı

+175°C

Vgs'de Tipik Kapak Şarjı

10 V'de 595 nC

Minimum Çalışma Sıcaklığı

-55°C

İleri Diyot Gerilimi

1.2V

Yükseklik

5.7mm

Menşe

Germany

Ürün Ayrıntıları

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more