Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Magnatecİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
3,5 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
200 V
Paket Tipi
TO-220AB
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
1.5 Ω
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı
40 W
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
10.67mm
Genişlik
4.83mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 22 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
9.02mm
Ürün Ayrıntıları
MOSFETs - P-Channel
The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.
Teklif İsteyiniz
1

Teklif İsteyiniz
1

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Magnatecİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
3,5 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
200 V
Paket Tipi
TO-220AB
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
1.5 Ω
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı
40 W
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
10.67mm
Genişlik
4.83mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 22 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
9.02mm
Ürün Ayrıntıları
MOSFETs - P-Channel
The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.