Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiTransistör Tipi
NPN
Maksimum DC Kollektör Akımı
7 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
100 V
Paket Tipi
TO-220
Montaj Tipi
Açık Delik
Maksimum Güç Kaybı
40 W
Minimum DC Akım Kazancı
120
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kollektör Taban Gerilimi
150 V
Maksimum Emitör Taban Gerilimi
7 V
Pim Sayısı
3
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Boyutlar
9.9 x 4.5 x 18.95mm
Ürün Ayrıntıları
Power NPN Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Teklif İsteyiniz
Each (Supplied in a Tube) (KDV Hariç)
Üretime Uygun Paketleme (Tüp)
10
Teklif İsteyiniz
Each (Supplied in a Tube) (KDV Hariç)
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Üretime Uygun Paketleme (Tüp)
10
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiTransistör Tipi
NPN
Maksimum DC Kollektör Akımı
7 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
100 V
Paket Tipi
TO-220
Montaj Tipi
Açık Delik
Maksimum Güç Kaybı
40 W
Minimum DC Akım Kazancı
120
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kollektör Taban Gerilimi
150 V
Maksimum Emitör Taban Gerilimi
7 V
Pim Sayısı
3
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Boyutlar
9.9 x 4.5 x 18.95mm
Ürün Ayrıntıları
Power NPN Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.