Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
12 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
12 V
Series
PowerTrench
Paket Tipi
MLP
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
6
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
16 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
0.4V
Maksimum Güç Kaybı
2,4 W, 900 mW
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-8 V, +8 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
2.05mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
4,5 V'de 24 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Genişlik
2.05mm
Transistör Malzemesi
Si
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
0.775mm
Ürün Ayrıntıları
PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs employa shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generations.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuits or replace a higher voltage rating MOSFET.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
3.050,80 TL
30,508 TL Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
3.660,96 TL
36,61 TL Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
100
3.050,80 TL
30,508 TL Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
3.660,96 TL
36,61 TL Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
100
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Miktar | Birim Fiyat | Per Makara |
---|---|---|
100 - 225 | 30,508 TL | 762,70 TL |
250+ | 26,448 TL | 661,20 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
12 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
12 V
Series
PowerTrench
Paket Tipi
MLP
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
6
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
16 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
0.4V
Maksimum Güç Kaybı
2,4 W, 900 mW
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-8 V, +8 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
2.05mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
4,5 V'de 24 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Genişlik
2.05mm
Transistör Malzemesi
Si
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
0.775mm
Ürün Ayrıntıları
PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs employa shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generations.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuits or replace a higher voltage rating MOSFET.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.