Toshiba TK10A60W,S4VX(M N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 9,7 A, 600 V, 3-Pinli TO-220SIS

Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Toshibaİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
9,7 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
600 V
Paket Tipi
TO-220SIS
Series
DTMOSIV
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
380 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
3.7V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.7V
Maksimum Güç Kaybı
30 W
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-30 V, +30 V
Uzunluk
10mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 20 nC
Transistör Malzemesi
Si
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Genişlik
4.5mm
İleri Diyot Gerilimi
1.7V
Yükseklik
15mm
Menşe
Japan
Ürün Ayrıntıları
MOSFET Transistors, Toshiba
Teklif İsteyiniz
Each (In a Pack of 5) (KDV Hariç)
5
Teklif İsteyiniz
Each (In a Pack of 5) (KDV Hariç)
5
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Toshibaİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
9,7 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
600 V
Paket Tipi
TO-220SIS
Series
DTMOSIV
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
380 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
3.7V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.7V
Maksimum Güç Kaybı
30 W
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-30 V, +30 V
Uzunluk
10mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 20 nC
Transistör Malzemesi
Si
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Genişlik
4.5mm
İleri Diyot Gerilimi
1.7V
Yükseklik
15mm
Menşe
Japan
Ürün Ayrıntıları