Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
VishayMontaj Tipi
Panel Montajı
Paket Tipi
SOT-227
Maksimum Sürekli İleri Akım
120A
Tepe Ters Tekrarlayan Gerilim
1200V
Diyot Konfigürasyonu
Yalıtılmış
Redresör Tipi
Anahtarlama
Diyot Tipi
Silikon Bağlantı
Pim Sayısı
4
Maksimum İleri Gerilim Düşümü
5.3V
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Diyot Teknolojisi
Silikon Bağlantı
Tepe Ters Kurtarma Süresi
218ns
Tepe Tekrarlamayan İleri Ani Akım
350A
Menşe
Philippines
Ürün Ayrıntıları
HEXFRED® Ultrafast Recovery Rectifiers, Vishay Semiconductor
The HEXFRED® range of products from Vishay are ultrafast recovery rectifiers that contain ultrafast planar technology with a proprietary Schottky barrier based inner structure that enables soft and fast recovery behaviour at any diF/dt condition. These characteristics mean that HEXFRED® products are well suited for use as a companion diode for IGBTs and MOSFETs.
Diodes and Rectifiers, Vishay Semiconductor
21.429,20 TL
2.142,92 TL Each (In a Box of 10) (KDV Hariç)
25.715,04 TL
2.571,504 TL Each (In a Box of 10) KDV Dahil
10
21.429,20 TL
2.142,92 TL Each (In a Box of 10) (KDV Hariç)
25.715,04 TL
2.571,504 TL Each (In a Box of 10) KDV Dahil
10
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Miktar | Birim Fiyat | Per Kutu |
---|---|---|
10 - 10 | 2.142,92 TL | 21.429,20 TL |
20+ | 2.036,112 TL | 20.361,12 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
VishayMontaj Tipi
Panel Montajı
Paket Tipi
SOT-227
Maksimum Sürekli İleri Akım
120A
Tepe Ters Tekrarlayan Gerilim
1200V
Diyot Konfigürasyonu
Yalıtılmış
Redresör Tipi
Anahtarlama
Diyot Tipi
Silikon Bağlantı
Pim Sayısı
4
Maksimum İleri Gerilim Düşümü
5.3V
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Diyot Teknolojisi
Silikon Bağlantı
Tepe Ters Kurtarma Süresi
218ns
Tepe Tekrarlamayan İleri Ani Akım
350A
Menşe
Philippines
Ürün Ayrıntıları
HEXFRED® Ultrafast Recovery Rectifiers, Vishay Semiconductor
The HEXFRED® range of products from Vishay are ultrafast recovery rectifiers that contain ultrafast planar technology with a proprietary Schottky barrier based inner structure that enables soft and fast recovery behaviour at any diF/dt condition. These characteristics mean that HEXFRED® products are well suited for use as a companion diode for IGBTs and MOSFETs.