Infineon BFP 720 H6327 NPN Transistör, 25 mA, 13 V, 4-Pinli SOT-343
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
InfineonTransistör Tipi
NPN
Maksimum DC Kollektör Akımı
25 mA
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
13 V
Paket Tipi
SOT-343
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Maksimum Güç Kaybı
100 mW
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kollektör Taban Gerilimi
13 V
Maksimum Emitör Taban Gerilimi
1,2 V
Pim Sayısı
4
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Boyutlar
2 x 1.25 x 0.9mm
Ürün Ayrıntıları
SiGe RF Bipolar Transistors, Infineon
A range of ultra-low-noise wideband NPN bipolar RF transistors from Infineon. These hetero-junction bipolar devices utilize Infineon’s silicon germanium carbon (SiGe:C) material technology and are especially suited for use mobile applications in which low power consumption is a key requirement. With typical transition frequencies of up to 65 GHz these devices offer high power gain at frequencies of up to 10 GHz when used in amplifier applications. The transistors include internal circuitry for ESD and excessive RF input power protection.
Bipolar Transistors, Infineon
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
192,66 TL
12,844 TL Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
231,19 TL
15,413 TL Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
15
192,66 TL
12,844 TL Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
231,19 TL
15,413 TL Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
15
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
InfineonTransistör Tipi
NPN
Maksimum DC Kollektör Akımı
25 mA
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
13 V
Paket Tipi
SOT-343
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Maksimum Güç Kaybı
100 mW
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kollektör Taban Gerilimi
13 V
Maksimum Emitör Taban Gerilimi
1,2 V
Pim Sayısı
4
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Boyutlar
2 x 1.25 x 0.9mm
Ürün Ayrıntıları
SiGe RF Bipolar Transistors, Infineon
A range of ultra-low-noise wideband NPN bipolar RF transistors from Infineon. These hetero-junction bipolar devices utilize Infineon’s silicon germanium carbon (SiGe:C) material technology and are especially suited for use mobile applications in which low power consumption is a key requirement. With typical transition frequencies of up to 65 GHz these devices offer high power gain at frequencies of up to 10 GHz when used in amplifier applications. The transistors include internal circuitry for ESD and excessive RF input power protection.
Bipolar Transistors, Infineon
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products