Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
1,17 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Series
SIPMOS
Paket Tipi
SOT-223
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
800 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
1,8 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
3.5mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
6.5mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 5,2 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
1.6mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs
The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
1.976,90 TL
19,769 TL Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
2.372,28 TL
23,723 TL Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
100
1.976,90 TL
19,769 TL Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
2.372,28 TL
23,723 TL Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
100
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Miktar | Birim Fiyat | Per Makara |
---|---|---|
100 - 200 | 19,769 TL | 988,45 TL |
250 - 450 | 18,444 TL | 922,20 TL |
500 - 1200 | 17,172 TL | 858,60 TL |
1250+ | 15,90 TL | 795,00 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
1,17 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Series
SIPMOS
Paket Tipi
SOT-223
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
800 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
1,8 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
3.5mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
6.5mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 5,2 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
1.6mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs
The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.