Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
90 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Seri
OptiMOS P
Paket Tipi
DPAK (TO-252)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
6.8 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
137 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-16 V, +5 V
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 125 nC
Genişlik
6.22mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
6.5mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Yükseklik
2.3mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs
The Infineon OptiMOS™ P-Channel power MOSFETs are designed to give enhanced features meeting quality performances. Features include ultra-low switching loss, on-state resistance, Avalanche ratings as well as being AEC qualified for automotive solutions. Applications include dc-dc, motor control, automotive and eMobility.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
374,40 TL
74,88 TL Each (In a Pack of 5) (KDV Hariç)
449,28 TL
89,856 TL Each (In a Pack of 5) KDV Dahil
Standart
5

374,40 TL
74,88 TL Each (In a Pack of 5) (KDV Hariç)
449,28 TL
89,856 TL Each (In a Pack of 5) KDV Dahil
Standart
5

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
90 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Seri
OptiMOS P
Paket Tipi
DPAK (TO-252)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
6.8 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
137 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-16 V, +5 V
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 125 nC
Genişlik
6.22mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
6.5mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Yükseklik
2.3mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs
The Infineon OptiMOS™ P-Channel power MOSFETs are designed to give enhanced features meeting quality performances. Features include ultra-low switching loss, on-state resistance, Avalanche ratings as well as being AEC qualified for automotive solutions. Applications include dc-dc, motor control, automotive and eMobility.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.