Infineon IRLB8314PBF N-Kanallı MOSFET Transistör, 171 A, 30 V, 3-Pinli TO-220AB
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
171 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Series
HEXFET
Paket Tipi
TO-220AB
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
3.2 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.2V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.2V
Maksimum Güç Kaybı
125 W
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Genişlik
4.83mm
Uzunluk
10.67mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
4,5 V'de 40 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1V
Yükseklik
16.51mm
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teklif İsteyiniz
Each (Supplied in a Tube) (KDV Hariç)
Üretime Uygun Paketleme (Tüp)
10
Teklif İsteyiniz
Each (Supplied in a Tube) (KDV Hariç)
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Üretime Uygun Paketleme (Tüp)
10
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
171 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Series
HEXFET
Paket Tipi
TO-220AB
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
3.2 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.2V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.2V
Maksimum Güç Kaybı
125 W
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Genişlik
4.83mm
Uzunluk
10.67mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
4,5 V'de 40 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1V
Yükseklik
16.51mm
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products