Infineon IRLU024NPBF N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 17 A, 55 V, 3-Pinli IPAK (TO-251)
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
17 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
55 V
Paket Tipi
IPAK (TO-251)
Series
HEXFET
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
65 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
45 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-16 V, +16 V
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
6.73mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
5 V'de 15 nC
Genişlik
2.39mm
Yükseklik
6.22mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.3V
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teklif İsteyiniz
Üretime Uygun Paketleme (Tüp)
1
Teklif İsteyiniz
Üretime Uygun Paketleme (Tüp)
1
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
17 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
55 V
Paket Tipi
IPAK (TO-251)
Series
HEXFET
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
65 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
45 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-16 V, +16 V
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
6.73mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
5 V'de 15 nC
Genişlik
2.39mm
Yükseklik
6.22mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.3V
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products