Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
NexperiaTransistör Tipi
NPN
Maksimum DC Kollektör Akımı
2 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
50 V
Paket Tipi
SOT-23 (TO-236AB)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Maksimum Güç Kaybı
1,2 W
Minimum DC Akım Kazancı
300
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kollektör Taban Gerilimi
50 V
Maksimum Emitör Taban Gerilimi
5 V
Maksimum Çalışma Frekansı
100 MHz
Pim Sayısı
3
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Boyutlar
1 x 3 x 1.4mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
Low Saturation Voltage NPN Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.
Bipolar Transistors, Nexperia
82,08 TL
8,208 TL Each (In a Pack of 10) (KDV Hariç)
98,50 TL
9,85 TL Each (In a Pack of 10) KDV Dahil
Standart
10

82,08 TL
8,208 TL Each (In a Pack of 10) (KDV Hariç)
98,50 TL
9,85 TL Each (In a Pack of 10) KDV Dahil
Standart
10

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
---|---|---|
10 - 90 | 8,208 TL | 82,08 TL |
100 - 190 | 4,158 TL | 41,58 TL |
200 - 390 | 3,996 TL | 39,96 TL |
400 - 790 | 3,888 TL | 38,88 TL |
800+ | 3,78 TL | 37,80 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
NexperiaTransistör Tipi
NPN
Maksimum DC Kollektör Akımı
2 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
50 V
Paket Tipi
SOT-23 (TO-236AB)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Maksimum Güç Kaybı
1,2 W
Minimum DC Akım Kazancı
300
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kollektör Taban Gerilimi
50 V
Maksimum Emitör Taban Gerilimi
5 V
Maksimum Çalışma Frekansı
100 MHz
Pim Sayısı
3
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Boyutlar
1 x 3 x 1.4mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
Low Saturation Voltage NPN Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.