Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
ROHMİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
300 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
1200 V
Series
BSM
Paket Tipi
C
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
4
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.6V
Maksimum Güç Kaybı
1875 W
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Genişlik
57.95mm
Uzunluk
152mm
Transistör Malzemesi
SiC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Yükseklik
17mm
Menşe
Japan
Ürün Ayrıntıları
SiC Power Modules, ROHM
The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
167.239,38 TL
41.809,845 TL Each (In a Tray of 4) (KDV Hariç)
200.687,26 TL
50.171,814 TL Each (In a Tray of 4) KDV Dahil
4
167.239,38 TL
41.809,845 TL Each (In a Tray of 4) (KDV Hariç)
200.687,26 TL
50.171,814 TL Each (In a Tray of 4) KDV Dahil
4
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
ROHMİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
300 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
1200 V
Series
BSM
Paket Tipi
C
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
4
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.6V
Maksimum Güç Kaybı
1875 W
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Genişlik
57.95mm
Uzunluk
152mm
Transistör Malzemesi
SiC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Yükseklik
17mm
Menşe
Japan
Ürün Ayrıntıları
SiC Power Modules, ROHM
The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.