Vishay IRF640PBF N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 18 A, 200 V, 3-Pinli TO-220AB
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Vishayİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
18 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
200 V
Paket Tipi
TO-220AB
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
180 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
125 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 70 nC
Genişlik
4.7mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
10.41mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
9.01mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
2.964,00 TL
59,28 TL Each (In a Tube of 50) (KDV Hariç)
3.556,80 TL
71,136 TL Each (In a Tube of 50) KDV Dahil
50
2.964,00 TL
59,28 TL Each (In a Tube of 50) (KDV Hariç)
3.556,80 TL
71,136 TL Each (In a Tube of 50) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
50
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
| Miktar | Birim Fiyat | Per Tüp |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 59,28 TL | 2.964,00 TL |
| 100 - 200 | 51,015 TL | 2.550,75 TL |
| 250+ | 47,424 TL | 2.371,20 TL |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Vishayİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
18 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
200 V
Paket Tipi
TO-220AB
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
180 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
125 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 70 nC
Genişlik
4.7mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
10.41mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
9.01mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products