Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
VishayMontaj Tipi
Açık Delik
Paket Tipi
TO-247AC
Maksimum Sürekli İleri Akım
16A
Tepe Ters Tekrarlayan Gerilim
1200V
Diyot Konfigürasyonu
Tek
Redresör Tipi
Anahtarlama
Diyot Tipi
Silikon Bağlantı
Pim Sayısı
2
Maksimum İleri Gerilim Düşümü
3.93V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Diyot Teknolojisi
Silikon Bağlantı
Tepe Ters Kurtarma Süresi
135ns
Tepe Tekrarlamayan İleri Ani Akım
190A
Ürün Ayrıntıları
HEXFRED® Ultrafast Recovery Rectifiers, Vishay Semiconductor
The HEXFRED® range of products from Vishay are ultrafast recovery rectifiers that contain ultrafast planar technology with a proprietary Schottky barrier based inner structure that enables soft and fast recovery behaviour at any diF/dt condition. These characteristics mean that HEXFRED® products are well suited for use as a companion diode for IGBTs and MOSFETs.
Diodes and Rectifiers, Vishay Semiconductor
2.985,32 TL
298,53 TL Each (Supplied in a Tube) (KDV Hariç)
3.582,38 TL
358,24 TL Each (Supplied in a Tube) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Tüp)
10

2.985,32 TL
298,53 TL Each (Supplied in a Tube) (KDV Hariç)
3.582,38 TL
358,24 TL Each (Supplied in a Tube) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Tüp)
10

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Miktar | Birim Fiyat |
---|---|
10 - 24 | 298,53 TL |
25 - 49 | 270,97 TL |
50 - 99 | 246,01 TL |
100+ | 228,33 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
VishayMontaj Tipi
Açık Delik
Paket Tipi
TO-247AC
Maksimum Sürekli İleri Akım
16A
Tepe Ters Tekrarlayan Gerilim
1200V
Diyot Konfigürasyonu
Tek
Redresör Tipi
Anahtarlama
Diyot Tipi
Silikon Bağlantı
Pim Sayısı
2
Maksimum İleri Gerilim Düşümü
3.93V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Diyot Teknolojisi
Silikon Bağlantı
Tepe Ters Kurtarma Süresi
135ns
Tepe Tekrarlamayan İleri Ani Akım
190A
Ürün Ayrıntıları
HEXFRED® Ultrafast Recovery Rectifiers, Vishay Semiconductor
The HEXFRED® range of products from Vishay are ultrafast recovery rectifiers that contain ultrafast planar technology with a proprietary Schottky barrier based inner structure that enables soft and fast recovery behaviour at any diF/dt condition. These characteristics mean that HEXFRED® products are well suited for use as a companion diode for IGBTs and MOSFETs.