Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
1,9 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Series
SIPMOS
Paket Tipi
SOT-223
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
300 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.1V
Maksimum Güç Kaybı
1,8 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
6.5mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 10 nC
Genişlik
3.5mm
Yükseklik
1.6mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs
The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
13.992,00 TL
13,992 TL Each (On a Reel of 1000) (KDV Hariç)
16.790,40 TL
16,79 TL Each (On a Reel of 1000) KDV Dahil
1000
13.992,00 TL
13,992 TL Each (On a Reel of 1000) (KDV Hariç)
16.790,40 TL
16,79 TL Each (On a Reel of 1000) KDV Dahil
1000
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Miktar | Birim Fiyat | Per Makara |
---|---|---|
1000 - 1000 | 13,992 TL | 13.992,00 TL |
2000 - 2000 | 13,303 TL | 13.303,00 TL |
3000+ | 12,455 TL | 12.455,00 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
1,9 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Series
SIPMOS
Paket Tipi
SOT-223
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
300 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.1V
Maksimum Güç Kaybı
1,8 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
6.5mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 10 nC
Genişlik
3.5mm
Yükseklik
1.6mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs
The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.