IXYS IXFH69N30P N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 69 A, 300 V, 3-Pinli TO-247
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
69 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
300 V
Paket Tipi
TO-247
Series
HiperFET, Polar
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
49 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
5V
Maksimum Güç Kaybı
500 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
16.26mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 156 nC
Genişlik
5.3mm
Transistör Malzemesi
Si
Yükseklik
21.46mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
533,41 TL
533,41 TL Each (KDV Hariç)
640,09 TL
640,09 TL Each KDV Dahil
Standart
1
533,41 TL
533,41 TL Each (KDV Hariç)
640,09 TL
640,09 TL Each KDV Dahil
Standart
1
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
| Miktar | Birim Fiyat |
|---|---|
| 1 - 9 | 533,41 TL |
| 10+ | 464,83 TL |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
69 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
300 V
Paket Tipi
TO-247
Series
HiperFET, Polar
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
49 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
5V
Maksimum Güç Kaybı
500 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
16.26mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 156 nC
Genişlik
5.3mm
Transistör Malzemesi
Si
Yükseklik
21.46mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products