Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
500 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
75 V
Paket Tipi
SMPD
Series
GigaMOS, HiperFET
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
24
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
1.6 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
5V
Maksimum Güç Kaybı
830 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-30 V, +30 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
25.25mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 545 nC
Transistör Malzemesi
Si
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Genişlik
23.25mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.25V
Yükseklik
5.7mm
Ürün Ayrıntıları
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
16.093,08 TL
804,654 TL Each (In a Tube of 20) (KDV Hariç)
19.311,70 TL
965,585 TL Each (In a Tube of 20) KDV Dahil
20
16.093,08 TL
804,654 TL Each (In a Tube of 20) (KDV Hariç)
19.311,70 TL
965,585 TL Each (In a Tube of 20) KDV Dahil
20
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
500 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
75 V
Paket Tipi
SMPD
Series
GigaMOS, HiperFET
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
24
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
1.6 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
5V
Maksimum Güç Kaybı
830 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-30 V, +30 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
25.25mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 545 nC
Transistör Malzemesi
Si
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Genişlik
23.25mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.25V
Yükseklik
5.7mm
Ürün Ayrıntıları
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS