Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
NexperiaTransistör Tipi
PNP
Maksimum DC Kollektör Akımı
2 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
-50 V
Paket Tipi
SOT-23 (TO-236AB)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Maksimum Güç Kaybı
1,2 W
Minimum DC Akım Kazancı
200
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kollektör Taban Gerilimi
50 V
Maksimum Emitör Taban Gerilimi
5 V
Maksimum Çalışma Frekansı
100 MHz
Pim Sayısı
3
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Boyutlar
1 x 3 x 1.4mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Ürün Ayrıntıları
Low Saturation Voltage PNP Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.
Bipolar Transistors, Nexperia
13.860,00 TL
4,62 TL Each (On a Reel of 3000) (KDV Hariç)
16.632,00 TL
5,544 TL Each (On a Reel of 3000) KDV Dahil
3000
13.860,00 TL
4,62 TL Each (On a Reel of 3000) (KDV Hariç)
16.632,00 TL
5,544 TL Each (On a Reel of 3000) KDV Dahil
3000
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
NexperiaTransistör Tipi
PNP
Maksimum DC Kollektör Akımı
2 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
-50 V
Paket Tipi
SOT-23 (TO-236AB)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Maksimum Güç Kaybı
1,2 W
Minimum DC Akım Kazancı
200
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kollektör Taban Gerilimi
50 V
Maksimum Emitör Taban Gerilimi
5 V
Maksimum Çalışma Frekansı
100 MHz
Pim Sayısı
3
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Boyutlar
1 x 3 x 1.4mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Ürün Ayrıntıları
Low Saturation Voltage PNP Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.