Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
90 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Series
STripFET F7
Paket Tipi
PowerFLAT
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
5.4 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı
94 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
6.35mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
5.4mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 25 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Yükseklik
0.95mm
İleri Diyot Gerilimi
1.2V
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
583,00 TL
58,30 TL Each (In a Pack of 10) (KDV Hariç)
699,60 TL
69,96 TL Each (In a Pack of 10) KDV Dahil
Standart
10
583,00 TL
58,30 TL Each (In a Pack of 10) (KDV Hariç)
699,60 TL
69,96 TL Each (In a Pack of 10) KDV Dahil
Standart
10
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
---|---|---|
10 - 10 | 58,30 TL | 583,00 TL |
20+ | 55,385 TL | 553,85 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
90 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Series
STripFET F7
Paket Tipi
PowerFLAT
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
5.4 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı
94 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
6.35mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
5.4mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 25 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Yükseklik
0.95mm
İleri Diyot Gerilimi
1.2V
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.