Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
55 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Series
STripFET II
Paket Tipi
TO-220
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
18 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
95 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-16 V, +16 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
10.4mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
4,5 V'de 27 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Genişlik
4.6mm
Transistör Malzemesi
Si
Yükseklik
9.15mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
2.488,75 TL
49,775 TL Each (In a Tube of 50) (KDV Hariç)
2.986,50 TL
59,73 TL Each (In a Tube of 50) KDV Dahil
50
2.488,75 TL
49,775 TL Each (In a Tube of 50) (KDV Hariç)
2.986,50 TL
59,73 TL Each (In a Tube of 50) KDV Dahil
50
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Miktar | Birim Fiyat | Per Tüp |
---|---|---|
50 - 50 | 49,775 TL | 2.488,75 TL |
100 - 450 | 38,665 TL | 1.933,25 TL |
500 - 950 | 32,725 TL | 1.636,25 TL |
1000 - 4950 | 27,335 TL | 1.366,75 TL |
5000+ | 25,74 TL | 1.287,00 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
55 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Series
STripFET II
Paket Tipi
TO-220
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
18 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
95 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-16 V, +16 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
10.4mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
4,5 V'de 27 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Genişlik
4.6mm
Transistör Malzemesi
Si
Yükseklik
9.15mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.