Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Vishayİletken Tipi
N, P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
3 A, 3,7 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Paket Tipi
SOIC
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
53 mΩ, 80 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
1,13 W
Transistör Yapılandırması
Yalıtılmış
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
4mm
Transistör Malzemesi
Si
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 10 nC, 10 V'de 8 nC
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
5mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
1.55mm
Ürün Ayrıntıları
Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Teklif İsteyiniz
Each (In a Pack of 10) (KDV Hariç)
Standart
10

Teklif İsteyiniz
Each (In a Pack of 10) (KDV Hariç)
Standart
10

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Vishayİletken Tipi
N, P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
3 A, 3,7 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Paket Tipi
SOIC
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
53 mΩ, 80 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
1,13 W
Transistör Yapılandırması
Yalıtılmış
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
4mm
Transistör Malzemesi
Si
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 10 nC, 10 V'de 8 nC
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
5mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
1.55mm
Ürün Ayrıntıları