Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
94 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
200 V
Series
HEXFET
Paket Tipi
TO-247AC
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
23 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
5V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
3V
Maksimum Güç Kaybı
580 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-30 V, +30 V
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 180 nC
Genişlik
5.3mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
15.9mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Yükseklik
20.3mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Power MOSFET 150V to 600V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
258,66 TL
258,66 TL Each (Supplied in a Tube) (KDV Hariç)
310,39 TL
310,39 TL Each (Supplied in a Tube) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Tüp)
1

258,66 TL
258,66 TL Each (Supplied in a Tube) (KDV Hariç)
310,39 TL
310,39 TL Each (Supplied in a Tube) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Tüp)
1

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
94 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
200 V
Series
HEXFET
Paket Tipi
TO-247AC
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
23 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
5V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
3V
Maksimum Güç Kaybı
580 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-30 V, +30 V
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 180 nC
Genişlik
5.3mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
15.9mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Yükseklik
20.3mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Power MOSFET 150V to 600V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.