IXYS IXFP12N50P N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 12 A, 500 V, 3-Pinli TO-220
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
12 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
500 V
Series
HiperFET, Polar
Paket Tipi
TO-220
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
500 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
5.5V
Maksimum Güç Kaybı
200 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-30 V, +30 V
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 29 nC
Genişlik
4.83mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
10.66mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
9.15mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teklif İsteyiniz
Each (Supplied in a Tube) (KDV Hariç)
Üretime Uygun Paketleme (Tüp)
5
Teklif İsteyiniz
Each (Supplied in a Tube) (KDV Hariç)
Üretime Uygun Paketleme (Tüp)
5
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
12 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
500 V
Series
HiperFET, Polar
Paket Tipi
TO-220
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
500 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
5.5V
Maksimum Güç Kaybı
200 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-30 V, +30 V
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 29 nC
Genişlik
4.83mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
10.66mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
9.15mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products