IXYS IXFP7N80P N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 7 A, 800 V, 3-Pinli TO-220
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
7 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
800 V
Series
HiperFET, Polar
Paket Tipi
TO-220
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
1.44 Ω
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
5V
Maksimum Güç Kaybı
200 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-30 V, +30 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Genişlik
4.83mm
Uzunluk
10.66mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 32 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
9.15mm
Ürün Ayrıntıları
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
8.008,50 TL
160,17 TL Each (In a Tube of 50) (KDV Hariç)
9.610,20 TL
192,204 TL Each (In a Tube of 50) KDV Dahil
50
8.008,50 TL
160,17 TL Each (In a Tube of 50) (KDV Hariç)
9.610,20 TL
192,204 TL Each (In a Tube of 50) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
50
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
7 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
800 V
Series
HiperFET, Polar
Paket Tipi
TO-220
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
1.44 Ω
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
5V
Maksimum Güç Kaybı
200 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-30 V, +30 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Genişlik
4.83mm
Uzunluk
10.66mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 32 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
9.15mm
Ürün Ayrıntıları
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products