Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiTransistör Tipi
NPN
Maksimum DC Kollektör Akımı
12 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
400 V
Paket Tipi
TO-220
Montaj Tipi
Açık Delik
Maksimum Güç Kaybı
100 W
Minimum DC Akım Kazancı
6
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kollektör Taban Gerilimi
700 V
Maksimum Emitör Taban Gerilimi
9 V
Pim Sayısı
3
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Boyutlar
9.9 x 4.5 x 9.2mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
High Voltage NPN Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Teklif İsteyiniz
Each (Supplied in a Tube) (KDV Hariç)
Üretime Uygun Paketleme (Tüp)
5

Teklif İsteyiniz
Each (Supplied in a Tube) (KDV Hariç)
Üretime Uygun Paketleme (Tüp)
5

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiTransistör Tipi
NPN
Maksimum DC Kollektör Akımı
12 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
400 V
Paket Tipi
TO-220
Montaj Tipi
Açık Delik
Maksimum Güç Kaybı
100 W
Minimum DC Akım Kazancı
6
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kollektör Taban Gerilimi
700 V
Maksimum Emitör Taban Gerilimi
9 V
Pim Sayısı
3
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Boyutlar
9.9 x 4.5 x 9.2mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
High Voltage NPN Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.