ROHM Dual SiC N-Channel SiC Power Module, 180 A, 1200 V, 4-Pin C BSM180D12P3C007

RS Stok Numarası: 144-2259Marka: ROHMÜretici Parça Numarası: BSM180D12P3C007
brand-logo

Teknik Belgeler

Özellikler

Marka

ROHM

İletken Tipi

N

Maksimum Sürekli Tahliye Akımı

180 A

Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi

1200 V

Series

BSM

Paket Tipi

C

Montaj Tipi

Yüzeye Monte

Pim Sayısı

4

Kanal Modu

Artırma

Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi

5.6V

Minimum Kapı Eşiği Gerilimi

2.7V

Maksimum Güç Kaybı

880 W

Yonga Başına Eleman Sayısı

2

Genişlik

45.6mm

Uzunluk

122mm

Transistör Malzemesi

SiC

Maksimum Çalışma Sıcaklığı

+150°C

Minimum Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Yükseklik

17mm

Menşe

Japan

Ürün Ayrıntıları

SiC Power Modules, ROHM

The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

Teklif İsteyiniz

ROHM Dual SiC N-Channel SiC Power Module, 180 A, 1200 V, 4-Pin C BSM180D12P3C007

Teklif İsteyiniz

ROHM Dual SiC N-Channel SiC Power Module, 180 A, 1200 V, 4-Pin C BSM180D12P3C007
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Teknik Belgeler

Özellikler

Marka

ROHM

İletken Tipi

N

Maksimum Sürekli Tahliye Akımı

180 A

Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi

1200 V

Series

BSM

Paket Tipi

C

Montaj Tipi

Yüzeye Monte

Pim Sayısı

4

Kanal Modu

Artırma

Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi

5.6V

Minimum Kapı Eşiği Gerilimi

2.7V

Maksimum Güç Kaybı

880 W

Yonga Başına Eleman Sayısı

2

Genişlik

45.6mm

Uzunluk

122mm

Transistör Malzemesi

SiC

Maksimum Çalışma Sıcaklığı

+150°C

Minimum Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Yükseklik

17mm

Menşe

Japan

Ürün Ayrıntıları

SiC Power Modules, ROHM

The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more