Texas Instruments CSD25404Q3T P-Kanallı MOSFET Transistör, 104 A, 20 V, 8-Pinli VSON-CLIP
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Texas Instrumentsİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
104 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
20 V
Seri
NexFET
Paket Tipi
VSON-CLIP
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
150 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.15V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
0.65V
Maksimum Güç Kaybı
96 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-12 V, +12 V
Genişlik
3.4mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
3.4mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
4,5 V'de 10,8 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
1.1mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1V
Ürün Ayrıntıları
P-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Teklif İsteyiniz
Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
5
Teklif İsteyiniz
Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
5
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Texas Instrumentsİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
104 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
20 V
Seri
NexFET
Paket Tipi
VSON-CLIP
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
150 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.15V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
0.65V
Maksimum Güç Kaybı
96 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-12 V, +12 V
Genişlik
3.4mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
3.4mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
4,5 V'de 10,8 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
1.1mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1V
Ürün Ayrıntıları