Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
VishayMontaj Tipi
Açık Delik
Paket Tipi
TO-247AC
Maksimum Sürekli İleri Akım
8A
Tepe Ters Tekrarlayan Gerilim
1200V
Diyot Konfigürasyonu
Tek
Redresör Tipi
Anahtarlama
Diyot Tipi
Silikon Bağlantı
Pim Sayısı
2
Maksimum İleri Gerilim Düşümü
4.3V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Diyot Teknolojisi
Silikon Bağlantı
Tepe Ters Kurtarma Süresi
160ns
Tepe Tekrarlamayan İleri Ani Akım
130A
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
HEXFRED® Ultrafast Recovery Rectifiers, Vishay Semiconductor
The HEXFRED® range of products from Vishay are ultrafast recovery rectifiers that contain ultrafast planar technology with a proprietary Schottky barrier based inner structure that enables soft and fast recovery behaviour at any diF/dt condition. These characteristics mean that HEXFRED® products are well suited for use as a companion diode for IGBTs and MOSFETs.
Diodes and Rectifiers, Vishay Semiconductor
4.521,52 TL
180,861 TL Each (In a Tube of 25) (KDV Hariç)
5.425,82 TL
217,033 TL Each (In a Tube of 25) KDV Dahil
25
4.521,52 TL
180,861 TL Each (In a Tube of 25) (KDV Hariç)
5.425,82 TL
217,033 TL Each (In a Tube of 25) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
25
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Miktar | Birim Fiyat | Per Tüp |
---|---|---|
25 - 25 | 180,861 TL | 4.521,52 TL |
50 - 100 | 171,855 TL | 4.296,38 TL |
125+ | 153,729 TL | 3.843,22 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
VishayMontaj Tipi
Açık Delik
Paket Tipi
TO-247AC
Maksimum Sürekli İleri Akım
8A
Tepe Ters Tekrarlayan Gerilim
1200V
Diyot Konfigürasyonu
Tek
Redresör Tipi
Anahtarlama
Diyot Tipi
Silikon Bağlantı
Pim Sayısı
2
Maksimum İleri Gerilim Düşümü
4.3V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Diyot Teknolojisi
Silikon Bağlantı
Tepe Ters Kurtarma Süresi
160ns
Tepe Tekrarlamayan İleri Ani Akım
130A
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
HEXFRED® Ultrafast Recovery Rectifiers, Vishay Semiconductor
The HEXFRED® range of products from Vishay are ultrafast recovery rectifiers that contain ultrafast planar technology with a proprietary Schottky barrier based inner structure that enables soft and fast recovery behaviour at any diF/dt condition. These characteristics mean that HEXFRED® products are well suited for use as a companion diode for IGBTs and MOSFETs.