Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
87 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
40 V
Paket Tipi
DPAK (TO-252)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
9.2 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
140 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
6.22mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Transistör Malzemesi
Si
Uzunluk
6.73mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 48 nC
Yükseklik
2.39mm
Seri
HEXFET
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Menşe
Mexico
Ürün Ayrıntıları
Automotive N-Channel Power MOSFET, Infineon
Infineon's comprehensive portfolio of AECQ-101 Automotive-qualified single die N-channel devices addresses a wide variety of power requirements in many applications. This range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
46,698 TL
Each (In a Tube of 75) KDV Hariç
56,038 TL
Each (In a Tube of 75) KDV Dahil
75
46,698 TL
Each (In a Tube of 75) KDV Hariç
56,038 TL
Each (In a Tube of 75) KDV Dahil
75
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
87 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
40 V
Paket Tipi
DPAK (TO-252)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
9.2 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
140 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
6.22mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Transistör Malzemesi
Si
Uzunluk
6.73mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 48 nC
Yükseklik
2.39mm
Seri
HEXFET
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Menşe
Mexico
Ürün Ayrıntıları
Automotive N-Channel Power MOSFET, Infineon
Infineon's comprehensive portfolio of AECQ-101 Automotive-qualified single die N-channel devices addresses a wide variety of power requirements in many applications. This range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.