Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
74 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
55 V
Paket Tipi
D2PAK (TO-263)
Seri
HEXFET
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
20 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
3,8 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
8.81mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Transistör Malzemesi
Si
Uzunluk
10.54mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 180 nC
Yükseklik
4.69mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Menşe
Mexico
Ürün Ayrıntıları
P-Channel Power MOSFET 40V to 55V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
25,972 TL
Each (In a Tube of 50) KDV Hariç
31,166 TL
Each (In a Tube of 50) KDV Dahil
50
25,972 TL
Each (In a Tube of 50) KDV Hariç
31,166 TL
Each (In a Tube of 50) KDV Dahil
50
Toptan Satın Al
Miktar | Birim Fiyat | Per Tüp |
---|---|---|
50 - 50 | 25,972 TL | 1.298,60 TL |
100 - 200 | 25,284 TL | 1.264,20 TL |
250 - 450 | 24,596 TL | 1.229,80 TL |
500 - 950 | 23,994 TL | 1.199,70 TL |
1000+ | 23,392 TL | 1.169,60 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
74 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
55 V
Paket Tipi
D2PAK (TO-263)
Seri
HEXFET
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
20 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
3,8 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
8.81mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Transistör Malzemesi
Si
Uzunluk
10.54mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 180 nC
Yükseklik
4.69mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Menşe
Mexico
Ürün Ayrıntıları
P-Channel Power MOSFET 40V to 55V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.