Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
6,5 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Paket Tipi
SOIC
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
46 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
2 W
Transistör Yapılandırması
Yalıtılmış
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
4mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Transistör Malzemesi
Si
Uzunluk
5mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 22 nC
Yükseklik
1.5mm
Seri
HEXFET
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
P.O.A.
4000
P.O.A.
4000
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
6,5 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Paket Tipi
SOIC
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
46 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
2 W
Transistör Yapılandırması
Yalıtılmış
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
4mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Transistör Malzemesi
Si
Uzunluk
5mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 22 nC
Yükseklik
1.5mm
Seri
HEXFET
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.