Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
40 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Paket Tipi
PQFN
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
14.4 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı
46 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
6mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 21 nC
Genişlik
5mm
Transistör Malzemesi
Si
Seri
HEXFET
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.3V
Yükseklik
0.85mm
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Power MOSFET 60V to 80V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
44,932 TL
Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
53,918 TL
Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
10
44,932 TL
Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
53,918 TL
Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
10
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
40 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Paket Tipi
PQFN
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
14.4 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı
46 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
6mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 21 nC
Genişlik
5mm
Transistör Malzemesi
Si
Seri
HEXFET
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.3V
Yükseklik
0.85mm
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Power MOSFET 60V to 80V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.