Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
6 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Paket Tipi
PQFN
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
7
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
65 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.3V
Maksimum Güç Kaybı
2,1 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 13 nC
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
2.1mm
Genişlik
2.1mm
Transistör Malzemesi
Si
Seri
HEXFET
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
0.95mm
Ürün Ayrıntıları
P-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
9,761 TL
Each (In a Pack of 10) KDV Hariç
11,713 TL
Each (In a Pack of 10) KDV Dahil
10
9,761 TL
Each (In a Pack of 10) KDV Hariç
11,713 TL
Each (In a Pack of 10) KDV Dahil
10
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
6 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Paket Tipi
PQFN
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
7
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
65 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.3V
Maksimum Güç Kaybı
2,1 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 13 nC
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
2.1mm
Genişlik
2.1mm
Transistör Malzemesi
Si
Seri
HEXFET
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
0.95mm
Ürün Ayrıntıları
P-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.