Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
190 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
100 V
Seri
HEXFET
Paket Tipi
D2PAK (TO-263)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
7
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
4 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
380 W
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
9.65mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Uzunluk
10.67mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 150 nC
Yükseklik
4.83mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.3V
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
181,89 TL
Each (Supplied on a Reel) KDV Hariç
218,268 TL
Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
2
181,89 TL
Each (Supplied on a Reel) KDV Hariç
218,268 TL
Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
2
Toptan Satın Al
Miktar | Birim Fiyat | Per Makara |
---|---|---|
2 - 18 | 181,89 TL | 363,78 TL |
20 - 48 | 163,795 TL | 327,59 TL |
50 - 98 | 152,75 TL | 305,50 TL |
100 - 198 | 141,94 TL | 283,88 TL |
200+ | 72,85 TL | 145,70 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
190 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
100 V
Seri
HEXFET
Paket Tipi
D2PAK (TO-263)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
7
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
4 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
380 W
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
9.65mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Uzunluk
10.67mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 150 nC
Yükseklik
4.83mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.3V
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.