Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
210 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
300 V
Seri
HiperFET, Polar3
Paket Tipi
PLUS264
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
14.5 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
5V
Maksimum Güç Kaybı
1,89 kW
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
20.29mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 268 nC
Genişlik
5.31mm
Transistör Malzemesi
Si
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
26.59mm
Menşe
United States
Ürün Ayrıntıları
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series
A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
1.108,119 TL
Each (In a Tube of 25) KDV Hariç
1.329,743 TL
Each (In a Tube of 25) KDV Dahil
25
1.108,119 TL
Each (In a Tube of 25) KDV Hariç
1.329,743 TL
Each (In a Tube of 25) KDV Dahil
25
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
210 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
300 V
Seri
HiperFET, Polar3
Paket Tipi
PLUS264
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
14.5 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
5V
Maksimum Güç Kaybı
1,89 kW
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
20.29mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 268 nC
Genişlik
5.31mm
Transistör Malzemesi
Si
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
26.59mm
Menşe
United States
Ürün Ayrıntıları
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series
A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS