Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
LittelfuseMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
20 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
365 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±15V
Maksimum Güç Kaybı
165 W
Paket Tipi
D2PAK (TO-263)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
10.29 x 9.65 x 4.83mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, ON Semiconductor
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.
IGBT Discretes, ON Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
26,617 TL
Each (Supplied on a Reel) KDV Hariç
31,94 TL
Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
5
26,617 TL
Each (Supplied on a Reel) KDV Hariç
31,94 TL
Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
5
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
LittelfuseMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
20 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
365 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±15V
Maksimum Güç Kaybı
165 W
Paket Tipi
D2PAK (TO-263)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
10.29 x 9.65 x 4.83mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, ON Semiconductor
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.
IGBT Discretes, ON Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.