Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Microchipİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
1,1 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
250 V
Paket Tipi
DFN
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
3.5 Ω
Kanal Modu
Boşaltma
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
5.1mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
1,5 V'de 7,04
Genişlik
5.1mm
Transistör Malzemesi
Si
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
0.85mm
İleri Diyot Gerilimi
1.8V
Ürün Ayrıntıları
DN2625 N-Channel MOSFET Transistors
The Microchip DN2625 is a low threshold depletion-mode (normally-on) MOSFET transistor utilizing an advanced vertical DMOS structure. The design combines the power handling capabilities of a Bipolar Transistor with the high input impedance and positive temperature coefficient of MOS devices.
MOSFET Transistors, Microchip
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
109,933 TL
Each (In a Pack of 5) KDV Hariç
131,92 TL
Each (In a Pack of 5) KDV Dahil
Standart
5
109,933 TL
Each (In a Pack of 5) KDV Hariç
131,92 TL
Each (In a Pack of 5) KDV Dahil
Standart
5
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Microchipİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
1,1 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
250 V
Paket Tipi
DFN
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
3.5 Ω
Kanal Modu
Boşaltma
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
5.1mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
1,5 V'de 7,04
Genişlik
5.1mm
Transistör Malzemesi
Si
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
0.85mm
İleri Diyot Gerilimi
1.8V
Ürün Ayrıntıları
DN2625 N-Channel MOSFET Transistors
The Microchip DN2625 is a low threshold depletion-mode (normally-on) MOSFET transistor utilizing an advanced vertical DMOS structure. The design combines the power handling capabilities of a Bipolar Transistor with the high input impedance and positive temperature coefficient of MOS devices.